г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDP3651U onsemi

Артикул
FDP3651U
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3, N-Channel 100 V 80A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
415 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDP3651U.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5522 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
255W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220-3
Other Names
1990-FDP3651U,488-FDP3651U,FDP3651U-ND
Series
PowerTrench®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Base Product Number
FDP36
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FQS4903TF
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 370mA 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 2N6045
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 75 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FGH40T65SQD-F155
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 238 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: EGP30G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD, Diode Standard 400 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: FDY2000PZ
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 350mA 446mW Surface Mount SOT-563F
Подробнее
Артикул: NDF04N60ZG
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP, N-Channel 600 V 4.8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее