г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDS2672 onsemi

Артикул
FDS2672
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC, N-Channel 200 V 3.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Цена
339 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDS2672.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2535 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Supplier Device Package
8-SOIC
Other Names
FDS2672TR,FDS2672CT,FDS2672DKR
Series
UltraFET™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FDS26
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NDF04N60ZG
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP, N-Channel 600 V 4.8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: PN4258
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 12V 0.2A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 200 mA 700MHz 350 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: HGTG30N60A4D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 75A 463W TO247, IGBT - 600 V 75 A 463 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1N4004G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41, Diode Standard 400 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: NTMFS4C06NBT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN, N-Channel 30 V 20A (Ta), 69A (Tc) 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: FQP19N20
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3, N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее