FDS6812A onsemi
Артикул
FDS6812A
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.7A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FDS6812A.jpg
Power - Max
900mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1082pF @ 10V
FET Feature
Logic Level Gate
Supplier Device Package
8-SOIC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
FDS68
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
2,500
REACH Status
REACH Unaffected
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут