г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDS8858CZ onsemi

Артикул
FDS8858CZ
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 8.6/7.3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.6A, 7.3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Цена
183 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FDS8858CZ.jpg
Supplier Device Package
8-SOIC
Power - Max
900mW
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.6A, 7.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 8.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1205pF @ 15V
FET Feature
Logic Level Gate
Other Names
FDS8858CZTR,FDS8858CZDKR,FDS8858CZCT
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FDS8858
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2SB764E
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: DTC124E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MAC16CM
Бренд: onsemi
Описание: TRIAC 600V 16A TO220AB, TRIAC Standard 600 V 16 A Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FGA6540WDF
Бренд: onsemi
Описание: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 238 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: NTH027N65S3F_F155
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3, N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FDMC5614P
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP, P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Подробнее