г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDS8882 onsemi

Артикул
FDS8882
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC, N-Channel 30 V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Цена
131 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FDS8882.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
940 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Supplier Device Package
8-SOIC
Other Names
FDS8882DKR,FDS8882TR,FDS8882CT
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FDS88
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FPAM50LH60
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V 50A 32PWRDIP, Power Driver Module IGBT 2 Phase 600 V 50 A 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Подробнее
Артикул: MBRD835LT4G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK, Diode Schottky 35 V 8A Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: MJE270
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 6MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: NTZD3155CT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563, Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Подробнее
Артикул: BC558B
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 30V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BUV26G
Бренд: onsemi
Описание: BUV26G - 20 A, 90 V NPN BIPOLAR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 20 A 85 W Through Hole TO-220
Подробнее