г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FDS8958 onsemi

Артикул
FDS8958
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 2W Surface Mount 8-SOIC
Цена
158 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FDS8958.jpg
Power - Max
2W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
789pF @ 10V
FET Feature
Logic Level Gate
Supplier Device Package
8-SOIC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
FDS89
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BC81725MTF
Бренд: onsemi
Описание: BC817 - NPN EPITAXIAL SILICON TR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BD235STU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 60V 2A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 2 A 3MHz 25 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: NDDP010N25AZ-1H
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP, N-Channel 250 V 10A (Ta) 1W (Ta), 52W (Tc) Through Hole IPAK/TP
Подробнее
Артикул: FQB7P20TM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK, P-Channel 200 V 7.3A (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: 1N4007GP
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: RURU8060
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 80A TO218, Diode Standard 600 V 80A Through Hole TO-218
Подробнее