г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA25N120ANTDTU onsemi

Артикул
FGA25N120ANTDTU
Бренд
onsemi
Описание
IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P, IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
Цена
658 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/FGA25N120ANTDTU.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
312 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
350 ns
IGBT Type
NPT and Trench
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.65V @ 15V, 50A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Switching Energy
4.1mJ (on), 960µJ (off)
Gate Charge
200 nC
Td (on/off) @ 25°C
50ns/190ns
Supplier Device Package
TO-3P
Other Names
2156-FGA25N120ANTDTU-OS,ONSONSFGA25N120ANTDTU,FGA25N120ANTDTU-NDR,FGA25N120ANTDTU_NL-ND,FGA25N120ANTDTU_NL
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
FGA25N120
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
600V, 25A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FQB34P10TM-F085
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK, P-Channel 100 V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: FCH041N60F
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3, N-Channel 600 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BZX85C6V8
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL, Zener Diode 6.8 V 1 W ±6% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MUN2211T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59
Подробнее
Артикул: FDMA1029PZ
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.1A 700mW Surface Mount 7-SOIC
Подробнее
Артикул: 2SB764E
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее