г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA40N65SMD onsemi

Артикул
FGA40N65SMD
Бренд
onsemi
Описание
IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN, IGBT Field Stop 650 V 80 A 349 W Through Hole TO-3PN
Цена
739 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/FGA40N65SMD.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Power - Max
349 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
IGBT Type
Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 40A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Switching Energy
820µJ (on), 260µJ (off)
Gate Charge
119 nC
Td (on/off) @ 25°C
12ns/92ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Other Names
FGA40N65SMDFS-ND,FGA40N65SMDOS,2156-FGA40N65SMD-OS,FGA40N65SMD-ND,FGA40N65SMDFS,ONSONSFGA40N65SMD
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
FGA40N65
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
400V, 40A, 6Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FQP12N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3, N-Channel 600 V 10.5A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FQP13N10
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3, N-Channel 100 V 12.8A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BC640TA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 1A TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 100MHz 1 W Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MUR1100ERL
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N4264
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 200 mA 350MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: TIP106G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 80V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее