г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA60N60UFDTU onsemi

Артикул
FGA60N60UFDTU
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 120A 298W TO3P, IGBT Field Stop 600 V 120 A 298 W Through Hole TO-3PN
Цена
1 025 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/FGA60N60UFDTU.jpg
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
298 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
47 ns
IGBT Type
Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 60A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Switching Energy
1.81mJ (on), 810µJ (off)
Gate Charge
188 nC
Td (on/off) @ 25°C
23ns/130ns
Input Type
Standard
Supplier Device Package
TO-3PN
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
FGA60N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Test Condition
400V, 60A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDMS86105
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN, N-Channel 100 V 6A (Ta), 26A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: PN5138
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 30V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1N4001GP
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MURS160T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB, Diode Standard 600 V 1A Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: 2N6284G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 20A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 20 A - 160 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: FJP13009H2TU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 12A TO220-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 4MHz 100 W Through Hole TO-220-3
Подробнее