г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGA6560WDF onsemi

Артикул
FGA6560WDF
Бренд
onsemi
Описание
IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN, IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 306 W Through Hole TO-3PN
Цена
517 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/FGA6560WDF.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Power - Max
306 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
110 ns
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 60A
Current - Collector Pulsed (Icm)
180 A
Switching Energy
2.46mJ (on), 520µJ (off)
Gate Charge
84 nC
Td (on/off) @ 25°C
25.6ns/71ns
Supplier Device Package
TO-3PN
Other Names
ONSONSFGA6560WDF,2156-FGA6560WDF-OS
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
FGA6560
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
400V, 60A, 6Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1SMB5955BT3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 180V 3W SMB, Zener Diode 180 V 3 W ±5% Surface Mount SMB
Подробнее
Артикул: MMBFJ270
Бренд: onsemi
Описание: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23, JFET P-Channel 30 V 225 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MBR750
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 50V 7.5A TO220AC, Diode Schottky 50 V 7.5A Through Hole TO-220-2L
Подробнее
Артикул: MJE15032
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 8 A 30MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRF820
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB, N-Channel 500 V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MUN5333DW1T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Подробнее