г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGD3N60UNDF onsemi

Артикул
FGD3N60UNDF
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 6A 60W DPAK, IGBT NPT 600 V 6 A 60 W Surface Mount TO-252AA
Цена
229 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/FGD3N60UNDF.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
60 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
21 ns
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.52V @ 15V, 3A
Current - Collector Pulsed (Icm)
9 A
Switching Energy
52µJ (on), 30µJ (off)
Gate Charge
1.6 nC
Td (on/off) @ 25°C
5.5ns/22ns
Supplier Device Package
TO-252AA
Other Names
FGD3N60UNDFCT,FGD3N60UNDFTR,FGD3N60UNDFDKR
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FGD3N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Test Condition
400V, 3A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FNB41060
Бренд: onsemi
Описание: MOD SPM 600V 10A SPM26-AA, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
Подробнее
Артикул: MUN2211T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 338 mW Surface Mount SC-59
Подробнее
Артикул: BUV22G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 40A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 40 A 8MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: FDWS9511L-F085
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 40V 30A 8DFN, P-Channel 40 V 30A (Tc) 68.2W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.1x6.3)
Подробнее
Артикул: FFH60UP40S
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247, Diode Standard 400 V 60A Through Hole TO-247-2
Подробнее
Артикул: HUF75545P3
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3, N-Channel 80 V 75A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее