г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGH20N60SFDTU onsemi

Артикул
FGH20N60SFDTU
Бренд
onsemi
Описание
IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3, IGBT Field Stop 600 V 40 A 165 W Through Hole TO-247-3
Цена
655 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/FGH20N60SFDTU.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
165 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
34 ns
IGBT Type
Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 20A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Switching Energy
370µJ (on), 160µJ (off)
Gate Charge
65 nC
Td (on/off) @ 25°C
13ns/90ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
2266-FGH20N60SFDTU
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
FGH20
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MUN5235DW1T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Подробнее
Артикул: HUF76645P3
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3, N-Channel 100 V 75A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MMUN2211LT3G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MMBD4148CA
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FDP2D9N12C
Бренд: onsemi
Описание: PTNG 120V N-FET TO220, N-Channel 120 V 18A (Ta), 210A (Tc) 2.4W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FNB41060
Бренд: onsemi
Описание: MOD SPM 600V 10A SPM26-AA, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
Подробнее