г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGH40T65SQD-F155 onsemi

Артикул
FGH40T65SQD-F155
Бренд
onsemi
Описание
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 238 W Through Hole TO-247-3
Цена
603 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/FGH40T65SQD-F155.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Power - Max
238 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
31.8 ns
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 40A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Switching Energy
138µJ (on), 52µJ (off)
Gate Charge
80 nC
Td (on/off) @ 25°C
16.4ns/86.4ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
2156-FGH40T65SQD-F155-OS,ONSONSFGH40T65SQD-F155
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Base Product Number
FGH40
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
400V, 10A, 6Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TIP32BG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 3A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NJT4031NT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 215MHz 2 W Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Подробнее
Артикул: FJP13007
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 8A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: HGTP3N60A4D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 17A 70W TO220AB, IGBT - 600 V 17 A 70 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BYW51-200G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 8A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: NVMFS4C05NWFT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN, N-Channel 30 V 24.7A (Ta), 116A (Tc) 3.61W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее