г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGH60T65SQD-F155 onsemi

Артикул
FGH60T65SQD-F155
Бренд
onsemi
Описание
IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 650 V 120 A 333 W Through Hole TO-247-3
Цена
939 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/FGH60T65SQD-F155.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Power - Max
333 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
34.6 ns
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 60A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Switching Energy
227µJ (on), 100µJ (off)
Gate Charge
79 nC
Td (on/off) @ 25°C
20.8ns/102ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
ONSONSFGH60T65SQD-F155,FGH60T65SQD-F155-ND,2156-FGH60T65SQD-F155-OS,FGH60T65SQD-F155OS
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Base Product Number
FGH60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
400V, 15A, 4.7Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: HUF75329D3ST
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA, N-Channel 55 V 20A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: BF245C
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 30V 25MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET - - - TO-92-3
Подробнее
Артикул: BC33740BU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 800MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FDB050AN06A0
Бренд: onsemi
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: MBRS130L
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMB, Diode Schottky 30 V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: FQPF6N90
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 900V 3.4A TO220F, N-Channel 900 V 3.4A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее