г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FGP30N6S2D onsemi

Артикул
FGP30N6S2D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 45A 167W TO220AB, IGBT - 600 V 45 A 167 W Through Hole TO-220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/FGP30N6S2D.jpg
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
167 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
46 ns
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 12A
Current - Collector Pulsed (Icm)
108 A
Switching Energy
55µJ (on), 100µJ (off)
Gate Charge
23 nC
Td (on/off) @ 25°C
6ns/40ns
Input Type
Standard
Supplier Device Package
TO-220-3
Other Names
FGP30N6S2D_NL-ND,FGP30N6S2D-NDR,FGP30N6S2D_NL
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
400
Base Product Number
FGP3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FSV540
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 5A TO277-3, Diode Schottky 40 V 5A Surface Mount TO-277-3
Подробнее
Артикул: FDFS2P103A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC, P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: MMSZ5236B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123, Zener Diode 7.5 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: FQP4N90
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3, N-Channel 900 V 4.2A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: NSVMMUN2131LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MJD112G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее