г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FNB43060T2 onsemi

Артикул
FNB43060T2
Бренд
onsemi
Описание
MODULE SPM 600V 30A SPMAB, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
Цена
3 689 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Power Driver Modules, Модули драйверов питания
Image
files/FNB43060T2.jpg
Voltage
600 V
Current
30 A
Configuration
3 Phase
REACH Status
REACH Unaffected
Type
IGBT
Other Names
FNB43060T2-ND,FNB43060T2OS
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
FNB43060
Standard Package
72
HTSUS
8542.39.0001
ECCN
EAR99
Package / Case
26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Active
Package
Tube
Series
Motion SPM® 45
Voltage - Isolation
2000Vrms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTB60N06L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK, N-Channel 60 V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: 2SC5536A-TL-H
Бренд: onsemi
Описание: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP, RF Transistor NPN 12V 50mA 1.7GHz 100mW Surface Mount 3-SSFP
Подробнее
Артикул: 2N3904TFR
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 40V 200MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FDC5614P
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6, P-Channel 60 V 3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Подробнее
Артикул: 2SB865
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 2N6517
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 350V 0.5A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее