г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FNB51560TD1 onsemi

Артикул
FNB51560TD1
Бренд
onsemi
Описание
MODULE SPM 600V 15A SPM55, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 600 V 15 A 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Power Driver Modules, Модули драйверов питания
Image
files/FNB51560TD1.jpg
Voltage
600 V
Current
15 A
Configuration
3 Phase Inverter
REACH Status
REACH Unaffected
Type
IGBT
Other Names
FNB51560TD1OS,FNB51560TD1-ND
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Base Product Number
FNB51560
Standard Package
13
HTSUS
8542.39.0001
ECCN
EAR99
Package / Case
20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm)
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Obsolete
Package
Tube
Series
Motion SPM® 55
Voltage - Isolation
1500Vrms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N5352B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 15V 5W AXIAL, Zener Diode 15 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: BFR31LT1
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 225MW SOT23, JFET N-Channel 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MM5Z3V9
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD523F, Zener Diode 3.9 V 200 mW ±5% Surface Mount SOD-523F
Подробнее
Артикул: FDS6630A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC, N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: BUV22G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 40A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 40 A 8MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 2N2221A
Бренд: onsemi
Описание: NPN MED PWR GP AMP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее