г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQB50N06LTM onsemi

Артикул
FQB50N06LTM
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK, N-Channel 60 V 52.4A (Tc) 3.75W (Ta), 121W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Цена
274 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FQB50N06LTM.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
52.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 26.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1630 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.75W (Ta), 121W (Tc)
Supplier Device Package
D?PAK (TO-263)
Other Names
FQB50N06LTMFSTR,FQB50N06LTMFSDKR,FQB50N06LTM-ND,FQB50N06LTMFSCT
Series
QFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Base Product Number
FQB50N06
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MSC3130T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS GP BJT NPN 10V 0.05A, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FCP11N60N
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3, N-Channel 600 V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDD86250
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK, N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: MJD45H11-1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 8A IPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: MJE15032G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 8 A 30MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: TIP131
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее