г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQD11P06TM onsemi

Артикул
FQD11P06TM
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK, P-Channel 60 V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Цена
171 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FQD11P06TM.jpg
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Supplier Device Package
TO-252AA
Other Names
2156-FQD11P06TM-OS,ONSONSFQD11P06TM,FQD11P06TMTR,FQD11P06TMDKR,FQD11P06TMCT,FQD11P06TM-ND
Series
QFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
FQD11P06
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N7002WT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3, N-Channel 60 V 310mA (Ta) 280mW (Tj) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее
Артикул: BC560ABU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BDV65B
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 125 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: 2N5486G
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 25V 30MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET - - - TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: ZTX614
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 800 mA - 1 W Through Hole TO-226
Подробнее
Артикул: NTJS4151PT1
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363,
Подробнее