г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQP6N90C onsemi

Артикул
FQP6N90C
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 900V 6A TO220-3, N-Channel 900 V 6A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
243 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FQP6N90C.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1770 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
167W (Tc)
FET Type
N-Channel
Supplier Device Package
TO-220-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Series
QFET®
Package
Tube
Part Status
Last Time Buy
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Base Product Number
FQP6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FGH30S130P
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB, IGBT Trench Field Stop 1300 V 60 A 500 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BAV70LT1
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SWITCH DUAL CC 70V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 70 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FJNS4205RBU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 300 mW Through Hole TO-92S
Подробнее
Артикул: FDH300
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35, Diode Standard 125 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FDMS8320L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN, N-Channel 40 V 36A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: NZT751
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 4A SOT223-4, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 4 A 75MHz 1.2 W Surface Mount SOT-223-4
Подробнее