г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQP7N10 onsemi

Артикул
FQP7N10
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 100V 7.3A TO220-3, N-Channel 100 V 7.3A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FQP7N10.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
FET Type
N-Channel
Supplier Device Package
TO-220-3
Series
QFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Base Product Number
FQP7
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FPDB40PH60B
Бренд: onsemi
Описание: MODULE SPM 600V 40A SPMGC, Power Driver Module IGBT 2 Phase 600 V 40 A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: FQPF7N65C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F, N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 2SB698F
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: HGTG7N60A4D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 34A 125W TO247, IGBT - 600 V 34 A 125 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MUN2211T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 338 mW Surface Mount SC-59
Подробнее
Артикул: MMBT3640-ON
Бренд: onsemi
Описание: 0.2A, 12V, PNP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 200 mA 500MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее