г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FQPF11P06 onsemi

Артикул
FQPF11P06
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO220F, P-Channel 60 V 8.6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Цена
257 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/FQPF11P06.jpg
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Supplier Device Package
TO-220F-3
Other Names
FQPF11P06FS,FQPF11P06-ND
Series
QFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Base Product Number
FQPF11
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N5462
Бренд: onsemi
Описание: JFET P-CH 40V 0.35W TO92, JFET P-Channel 40 V 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: FGP30N6S2D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 45A 167W TO220AB, IGBT - 600 V 45 A 167 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FGAF40N60UFDTU
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 40A TO3PF, IGBT - 600 V 40 A 100 W Through Hole TO-3PF
Подробнее
Артикул: BU323Z
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 350V 10A TO-218, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350 V 10 A 2MHz 150 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: MM3Z4V7T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 4.7V 300MW SOD323, Zener Diode 4.7 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323
Подробнее
Артикул: DTC114E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее