г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FSBB15CH60F onsemi

Артикул
FSBB15CH60F
Бренд
onsemi
Описание
MODULE SPM 600V SPM27-CA, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Power Driver Modules, Модули драйверов питания
Image
files/FSBB15CH60F.jpg
Voltage
600 V
Current
15 A
Configuration
3 Phase
REACH Status
REACH Unaffected
Type
IGBT
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Base Product Number
FSBB15
Standard Package
60
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
Package / Case
27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Mounting Type
Through Hole
Part Status
Obsolete
Package
Tube
Series
Motion SPM® 3
Voltage - Isolation
2500Vrms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 12A02CH-TL-E
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 12V 1A 3CPH, Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 1 A 450MHz 700 mW Surface Mount 3-CPH
Подробнее
Артикул: FDS4141
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC, P-Channel 40 V 10.8A (Ta) 5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: NDS0610-G
Бренд: onsemi
Описание: FET -60V 10.0 MOHM SOT23, P-Channel 60 V 120mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MUN5233T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
Подробнее
Артикул: KSA992FTA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 120V 50MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 50 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 2N5224
Бренд: onsemi
Описание: NPN LO LEVEL SWITCH TRANS TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V 100 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее