г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG11N120CND onsemi

Артикул
HGTG11N120CND
Бренд
onsemi
Описание
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3, IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Through Hole TO-247-3
Цена
768 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTG11N120CND.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
298 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 11A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Switching Energy
950µJ (on), 1.3mJ (off)
Gate Charge
100 nC
Td (on/off) @ 25°C
23ns/180ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
ONSFSCHGTG11N120CND,2156-HGTG11N120CND-OS
Series
-
Package
Tube
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
HGTG11
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
960V, 11A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MBRB2535CTLT4G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35 V 12.5A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: NSR0230P2T5G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD923, Diode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount SOD-923
Подробнее
Артикул: MJE15035
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 350V 4A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 4 A 30MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FDG6320C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88, Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 140mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Подробнее
Артикул: BAV103
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD80, Diode Standard 200 V 200mA Surface Mount SOD-80
Подробнее
Артикул: 1N5956BRLG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 200V 3W AXIAL, Zener Diode 200 V 3 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее