г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG11N120CND onsemi

Артикул
HGTG11N120CND
Бренд
onsemi
Описание
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3, IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Through Hole TO-247-3
Цена
768 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTG11N120CND.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
298 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
IGBT Type
NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 11A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Switching Energy
950µJ (on), 1.3mJ (off)
Gate Charge
100 nC
Td (on/off) @ 25°C
23ns/180ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
ONSFSCHGTG11N120CND,2156-HGTG11N120CND-OS
Series
-
Package
Tube
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
HGTG11
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
960V, 11A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FQP44N10
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3, N-Channel 100 V 43.5A (Tc) 146W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: NSVMMBT3906TT1G
Бренд: onsemi
Описание: NSVMMBT3906 - PNP BIPOLAR TRANSI, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: FDS9435A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC, P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FQP6N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220-3, N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDMS8350L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56, N-Channel 40 V 47A (Ta), 200A (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: MJE700
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DARL PNP 4A 60V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126
Подробнее