г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG12N60A4D onsemi

Артикул
HGTG12N60A4D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 54A 167W TO247, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-247-3
Цена
388 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTG12N60A4D.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
167 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Switching Energy
55µJ (on), 50µJ (off)
Gate Charge
78 nC
Td (on/off) @ 25°C
17ns/96ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
HGTG12N60A4D_NL,HGTG12N60A4D_NL-ND
Series
-
Package
Tube
Part Status
Last Time Buy
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Base Product Number
HGTG12N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N2905A
Бренд: onsemi
Описание: PNP SS GP AMP MED PWR TRANS., Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA - 600 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: 1N4001GP
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41, Diode Standard 50 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: NTS1545MFST1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 45V 15A 5DFN, Diode Schottky 45 V 15A Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: NVMFS5A140PLZWFT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 40V 20A/140A 5DFN, P-Channel 40 V 20A (Ta), 140A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: TIP32B
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 3A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 3 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BZX55C36
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 36V 500MW DO35, Zener Diode 36 V 500 mW ±6% Through Hole DO-35
Подробнее