г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG20N60A4D onsemi

Артикул
HGTG20N60A4D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 70A 290W TO247, IGBT - 600 V 70 A 290 W Through Hole TO-247-3
Цена
535 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTG20N60A4D.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
290 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
35 ns
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Current - Collector Pulsed (Icm)
280 A
Switching Energy
105µJ (on), 150µJ (off)
Gate Charge
142 nC
Td (on/off) @ 25°C
15ns/73ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
HGTG20N60A4DFS,HGTG20N60A4D_NL,HGTG20N60A4D-ND,HGTG20N60A4D_NL-ND
Series
-
Package
Tube
Part Status
Last Time Buy
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Base Product Number
HGTG20N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
390V, 20A, 3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 1N4148TR
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N5226
Бренд: onsemi
Описание: PNP AMP TRANS./2N5225 COMPLIMENT, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MBR2545CT
Бренд: onsemi
Описание: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA, Diode
Подробнее
Артикул: DTA143ZET1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: RGP10M
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO204AL, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: MTP6P20E
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 200V 6A TO220AB, P-Channel 200 V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее