г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG30N60A4D onsemi

Артикул
HGTG30N60A4D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 75A 463W TO247, IGBT - 600 V 75 A 463 W Through Hole TO-247-3
Цена
1 250 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTG30N60A4D.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
463 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Switching Energy
280µJ (on), 240µJ (off)
Gate Charge
225 nC
Td (on/off) @ 25°C
25ns/150ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
HGTG30N60A4D_NL-ND,HGTG30N60A4D_NL
Series
-
Package
Tube
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Base Product Number
HGTG30N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Test Condition
390V, 30A, 3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N3392
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 2N6109
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 50V 7A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 7 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FDB8896
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB, N-Channel 30 V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: 2N2221A
Бренд: onsemi
Описание: NPN MED PWR GP AMP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: 1N4938
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35, Diode Standard 200 V 500mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: NDBA180N10BT4H
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Ta) 200W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее