г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG30N60B3D onsemi

Артикул
HGTG30N60B3D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 60A TO247-3, IGBT - 600 V 60 A 208 W Through Hole TO-247-3
Цена
653 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTG30N60B3D.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
208 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
55 ns
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
220 A
Switching Energy
550µJ (on), 680µJ (off)
Gate Charge
170 nC
Td (on/off) @ 25°C
36ns/137ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
2156-HGTG30N60B3D-OS,ONSONSHGTG30N60B3D,1990-HGTG30N60B3D
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
HGTG30N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Test Condition
480V, 30A, 3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDS8958
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: FQP2N40
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3, N-Channel 400 V 1.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: NTP52N10
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB, N-Channel 100 V 60A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N6426
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: TIP42B
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 6A TO-220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NVMFD6H840NLT1G
Бренд: onsemi
Описание: T8 80V LL SO8FL DS, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 14A (Ta), 74A (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Подробнее