г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTG30N60C3D onsemi

Артикул
HGTG30N60C3D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 63A TO247-3, IGBT - 600 V 63 A 208 W Through Hole TO-247-3
Цена
1 879 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTG30N60C3D.jpg
Current - Collector (Ic) (Max)
63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
208 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
252 A
Switching Energy
1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge
162 nC
Td (on/off) @ 25°C
-
Input Type
Standard
Supplier Device Package
TO-247-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
450
Base Product Number
HGTG30
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Test Condition
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MBRF20100CT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
Подробнее
Артикул: FDD7030BL
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK, N-Channel 30 V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: MMBFJ177LT1G
Бренд: onsemi
Описание: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3, JFET P-Channel 30 V 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MUN5335DW1T1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT-363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Подробнее
Артикул: MBRD835LG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK, Diode Schottky 35 V 8A Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: NGTB30N135IHR1WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1350V 30A TO247, IGBT Trench Field Stop 1350 V 60 A 394 W Through Hole TO-247-3
Подробнее