г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP12N60A4D onsemi

Артикул
HGTP12N60A4D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 54A TO220-3, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-220-3
Цена
525 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTP12N60A4D.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
167 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Switching Energy
55µJ (on), 50µJ (off)
Gate Charge
78 nC
Td (on/off) @ 25°C
17ns/96ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Other Names
HGTP12N60A4D-NDR,HGTP12N60A4D_NL-ND,HGTP12N60A4D_NL
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Base Product Number
HGTP12N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDA18N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN, N-Channel 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: MUR220
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL, Diode Standard 200 V 2A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: BZX84C10
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 10V 350MW SOT23-3, Zener Diode 10 V 350 mW ±6% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FDD10N20LZTM
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK, N-Channel 200 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: MMBTH10RG
Бренд: onsemi
Описание: RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 40V 50mA 450MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MBR20H100CT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100 V 10A Through Hole TO-220-3
Подробнее