г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP12N60A4D onsemi

Артикул
HGTP12N60A4D
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 54A TO220-3, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-220-3
Цена
525 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTP12N60A4D.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
167 W
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Current - Collector Pulsed (Icm)
96 A
Switching Energy
55µJ (on), 50µJ (off)
Gate Charge
78 nC
Td (on/off) @ 25°C
17ns/96ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Other Names
HGTP12N60A4D-NDR,HGTP12N60A4D_NL-ND,HGTP12N60A4D_NL
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Base Product Number
HGTP12N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Test Condition
390V, 12A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NTD20N03L27-001
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK, N-Channel 30 V 20A (Ta) 1.75W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: MUN5235DW1T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Подробнее
Артикул: MJE182
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PWR NPN 3A 80V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: FDP6030L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3, N-Channel 30 V 48A (Ta) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MM5Z5V1
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523F, Zener Diode 5.1 V 200 mW ±6% Surface Mount SOD-523F
Подробнее
Артикул: MURH840CT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 400V 4A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400 V 4A Through Hole TO-220-3
Подробнее