г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP20N60A4 onsemi

Артикул
HGTP20N60A4
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 70A TO220-3, IGBT - 600 V 70 A 290 W Through Hole TO-220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTP20N60A4.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
290 W
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Current - Collector Pulsed (Icm)
280 A
Switching Energy
105µJ (on), 150µJ (off)
Gate Charge
142 nC
Td (on/off) @ 25°C
15ns/73ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Other Names
2156-HGTP20N60A4-OS,HGTP20N60A4_NL,HGTP20N60A4_NL-ND,ONSONSHGTP20N60A4,HGTP20N60A4-NDR
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Base Product Number
HGTP20
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Test Condition
390V, 20A, 3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FQA36P15
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN, P-Channel 150 V 36A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: 1N5372BG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 62V 5W AXIAL, Zener Diode 62 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MJB45H11T4G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 10A D2PAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 40MHz 2 W Surface Mount D?PAK
Подробнее
Артикул: FGA15N120ANTDTU-F109
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 30A 186W TO3P, IGBT NPT and Trench 1200 V 30 A 186 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: FDP150N10
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3, N-Channel 100 V 57A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MMSZ5242BT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 12V 500MW SOD123, Zener Diode 12 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее