г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP20N60A4 onsemi

Артикул
HGTP20N60A4
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 70A TO220-3, IGBT - 600 V 70 A 290 W Through Hole TO-220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTP20N60A4.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
290 W
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 20A
Current - Collector Pulsed (Icm)
280 A
Switching Energy
105µJ (on), 150µJ (off)
Gate Charge
142 nC
Td (on/off) @ 25°C
15ns/73ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Other Names
2156-HGTP20N60A4-OS,HGTP20N60A4_NL,HGTP20N60A4_NL-ND,ONSONSHGTP20N60A4,HGTP20N60A4-NDR
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Base Product Number
HGTP20
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Test Condition
390V, 20A, 3Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: NGTB50N120FL2WG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 100A 535W TO247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 100 A 535 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: BC517ZL1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: MJL4281AG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 350V 15A TO264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 15 A 35MHz 230 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: MUR160G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Diode Standard 600 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: HUF75645S3ST
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK, N-Channel 100 V 75A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: MBRD835LT4G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK, Diode Schottky 35 V 8A Surface Mount DPAK
Подробнее