г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP7N60A4 onsemi

Артикул
HGTP7N60A4
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 34A TO220-3, IGBT - 600 V 34 A 125 W Through Hole TO-220-3
Цена
322 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTP7N60A4.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
125 W
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 7A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Switching Energy
55µJ (on), 60µJ (off)
Gate Charge
37 nC
Td (on/off) @ 25°C
11ns/100ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Other Names
HGTP7N60A4_NL-ND,HGTP7N60A4-NDR,HGTP7N60A4_NL
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Base Product Number
HGTP7N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Test Condition
390V, 7A, 25Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2N5038G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 90V 20A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN 90 V 20 A - 140 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: FDMC7664
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP, N-Channel 30 V 18.8A (Ta), 24A (Tc) 2.3W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Подробнее
Артикул: MMBTA55
Бренд: onsemi
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 500 mA 50MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N914B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N6043G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 8 A - 75 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: ISL9V3040S3S
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 430V 21A 150W TO263AB, IGBT - 430 V 21 A 150 W Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее