г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HGTP7N60A4 onsemi

Артикул
HGTP7N60A4
Бренд
onsemi
Описание
IGBT 600V 34A TO220-3, IGBT - 600 V 34 A 125 W Through Hole TO-220-3
Цена
322 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/HGTP7N60A4.jpg
Input Type
Standard
Current - Collector (Ic) (Max)
34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Power - Max
125 W
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 7A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Switching Energy
55µJ (on), 60µJ (off)
Gate Charge
37 nC
Td (on/off) @ 25°C
11ns/100ns
Supplier Device Package
TO-220-3
Other Names
HGTP7N60A4_NL-ND,HGTP7N60A4-NDR,HGTP7N60A4_NL
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
800
Base Product Number
HGTP7N60
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Test Condition
390V, 7A, 25Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: RHRG30120
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 30A TO247-2, Diode Standard 1200 V 30A Through Hole TO-247-2
Подробнее
Артикул: 1N4004RLG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41, Diode Standard 400 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MUR240RLG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL, Diode Standard 400 V 2A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: FSAM30SH60A
Бренд: onsemi
Описание: SMART POWER MODULE 30A SPM32-AA, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Подробнее
Артикул: FDD86113LZ
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK, N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: 2N5245
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 30V 15MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET - - - TO-92-3
Подробнее