г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

HUF75344G3 onsemi

Артикул
HUF75344G3
Бренд
onsemi
Описание
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3, N-Channel 55 V 75A (Tc) 285W (Tc) Through Hole TO-247-3
Цена
706 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/HUF75344G3.jpg
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
285W (Tc)
Supplier Device Package
TO-247-3
Other Names
ONSONSHUF75344G3,2156-HUF75344G3-OS
Series
UltraFET™
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Base Product Number
HUF75344
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDD86540
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK, N-Channel 60 V 21.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: MMBZ5233B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 6V 350MW SOT23-3, Zener Diode 6 V 350 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: MUN5314DW1T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Подробнее
Артикул: HGTG7N60A4D
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 34A 125W TO247, IGBT - 600 V 34 A 125 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1N4007RLG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: ISL9V3040D3S
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 430V 21A 150W TO252AA, IGBT - 430 V 21 A 150 W Surface Mount TO-252AA
Подробнее