г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MBT3906DW1T1G onsemi

Артикул
MBT3906DW1T1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88/SC70-6, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Image
files/MBT3906DW1T1G.jpg
Other Names
MBT3906DW1T1GOSCT,MBT3906DW1T1GOSDKR,ONSONSMBT3906DW1T1G,MBT3906DW1T1GOSTR,2156-MBT3906DW1T1G-OS
Supplier Device Package
SC-88/SC70-6/SOT-363
Transistor Type
2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Power - Max
150mW
Frequency - Transition
250MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Standard Package
3,000
Base Product Number
MBT3906
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MBR4060PT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247AD, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60 V 40A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FGA20S120M
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 1200V 40A 348W TO3PN, IGBT Trench Field Stop 1200 V 40 A 348 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: FDMS3606S
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
Подробнее
Артикул: MMUN2113LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: MJ15023G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 200V 16A TO204, Bipolar (BJT) Transistor PNP 200 V 16 A 4MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: BZX79C6V2
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее