г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MCR8SNG onsemi

Артикул
MCR8SNG
Бренд
onsemi
Описание
SILICON CONTROLLED RECTIFIER, 8A, SCR 800 V 8 A Sensitive Gate Through Hole TO-220AB
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Thyristors - SCRs, Тиристоры - SCR
Image
files/MCR8SNG.jpg
Voltage - Off State
800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max)
8 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)
1 V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)
80A @ 60Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)
200 µA
Current - Hold (Ih) (Max)
6 mA
Voltage - On State (Vtm) (Max)
1.8 V
Current - Off State (Max)
10 µA
Supplier Device Package
TO-220AB
Standard Package
1
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 110°C
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
2156-MCR8SNG-OS,ONSONSMCR8SNG
SCR Type
Sensitive Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDZ191P
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP, P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (1x1.5)
Подробнее
Артикул: BZX84C3V9
Бренд: onsemi
Описание: ZENER DIODE, 3.9V, 5%, 0.25W, UN, Zener Diode
Подробнее
Артикул: RHRP30120
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GP 1200V 30A TO220-2L, Diode Standard 1200 V 30A Through Hole TO-220-2L
Подробнее
Артикул: KSC2383OTA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 160V 1A TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: UF4004
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL, Diode Standard 400 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: NDD02N60Z-1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK, N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее