г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJD117T4G onsemi

Артикул
MJD117T4G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Цена
146 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MJD117T4G.jpg
Other Names
MJD117T4GOSCT,MJD117T4GOS,MJD117T4GOS-ND,ONSONSMJD117T4G,MJD117T4GOSTR,2156-MJD117T4G-OS,MJD117T4GOSDKR
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Power - Max
1.75 W
Frequency - Transition
25MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Base Product Number
MJD117
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FFD04H60S
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 4A TO252, Diode Standard 600 V 4A Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: 2N6727
Бренд: onsemi
Описание: PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 2 A 500MHz 1 W Through Hole TO-237
Подробнее
Артикул: NGTB15N60R2FG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 24A TO220F-3FS, IGBT - 600 V 24 A 54 W Through Hole TO-220F-3FS
Подробнее
Артикул: NTMFS5C410NT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN, N-Channel 40 V 46A (Ta), 300A (Tc) 3.9W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: FNA40860B2
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 8A 26PWRDIP MOD, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 8 A 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm)
Подробнее
Артикул: 2N5830
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 100V 0.2A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 200 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее