г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJD45H11G onsemi

Артикул
MJD45H11G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PNP 80V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Цена
140 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MJD45H11G.jpg
Other Names
ONSFSCMJD45H11G,MJD45H11GOS,MJD45H11G-ND,2156-MJD45H11G-OS
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Power - Max
1.75 W
Frequency - Transition
90MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Standard Package
75
Base Product Number
MJD45
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2SB507E
Бренд: onsemi
Описание: TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FSBS15CH60
Бренд: onsemi
Описание: SMART POWER MODULE 15A SPM27-BA, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 15 A 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm)
Подробнее
Артикул: HUF76639P3
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3, N-Channel 100 V 51A (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BZX85C3V9
Бренд: onsemi
Описание: ZENER DIODE, 3.9V, 5%, 1W, UNIDI, Zener Diode 3.9 V 1 W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: HGTG12N60A4
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 54A 167W TO247, IGBT - 600 V 54 A 167 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FDN352AP
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3, P-Channel 30 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее