г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJE4343G onsemi

Артикул
MJE4343G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 160V 16A TO247, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole TO-247-3
Цена
687 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MJE4343G.jpg
Other Names
2156-MJE4343G-OS,MJE4343GOS,ONSONSMJE4343G
Supplier Device Package
TO-247-3
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3.5V @ 2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max)
750µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 8A, 2V
Power - Max
125 W
Frequency - Transition
1MHz
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Base Product Number
MJE4343
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: 2SA1943OTU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 250V 17A TO264, Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 17 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264-3
Подробнее
Артикул: UF4006
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: NDS351N
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 1.1A SUPERSOT3, N-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N5368B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 47V 5W AXIAL, Zener Diode 47 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MJD122T4G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: FDD6030L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A/50A DPAK, N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 3.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее