г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MJL4281AG onsemi

Артикул
MJL4281AG
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 350V 15A TO264, Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 15 A 35MHz 230 W Through Hole TO-264
Цена
1 087 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MJL4281AG.jpg
Base Product Number
MJL4281
Other Names
MJL4281AGOS
Supplier Device Package
TO-264
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5A, 5V
Power - Max
230 W
Standard Package
25
HTSUS
8541.29.0075
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
35MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TN4033A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 1A TO-226, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A - 1 W Through Hole TO-226-3
Подробнее
Артикул: MJE18002G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 450V 2A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 2 A 13MHz 50 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NVMYS025N06CLTWG
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK, N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Подробнее
Артикул: FGH75T65SHDTL4
Бренд: onsemi
Описание: IGBT FIELD STOP 650V 150A TO247, IGBT Field Stop 650 V 150 A 455 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: NSBC114YDXV6T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 500mW Surface Mount SOT-563
Подробнее
Артикул: FCP125N60E
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3, N-Channel 600 V 29A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее