г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT5551LT1G onsemi

Артикул
MMBT5551LT1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA - 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
38 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBT5551LT1G.jpg
Other Names
MMBT5551LT1GOSDKR,ONSMMBT5551LT1G,MMBT5551LT1GOSTR,MMBT5551LT1GOS-ND,MMBT5551LT1GOSCT,2156-MMBT5551LT1G-OS,MMBT5551LT1GOS
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Power - Max
225 mW
Frequency - Transition
-
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Base Product Number
MMBT5551
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FDS8958B
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: TIP50G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 1A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 10MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MJ11015G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 120V 30A TO204, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120 V 30 A 4MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: FQP6N60C
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3, N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FQPF4N60
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO220F, N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: MMUN2114LT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее