г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMUN2114LT1G onsemi

Артикул
MMUN2114LT1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
26 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/MMUN2114LT1G.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Power - Max
246 mW
REACH Status
REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Other Names
MMUN2114LT1GOS,MMUN2114LT1GOSCT,2156-MMUN2114LT1G-OS,MMUN2114LT1GOSDKR,MMUN2114LT1GOSTR,MMUN2114LT1GOS-ND,ONSONSMMUN2114LT1G
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Base Product Number
MMUN2114
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MJE15032
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 250V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 8 A 30MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FDA28N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN, N-Channel 500 V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: RURU10060
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 100A TO218, Diode Standard 600 V 100A Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: MUR120G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL, Diode Standard 200 V 1A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: BC850CMTF
Бренд: onsemi
Описание: BC850 - NPN EPITAXIAL SILICON TR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 300MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1N5254B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 27V 500MW DO35, Zener Diode 27 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее