г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMUN2212LT1G onsemi

Артикул
MMUN2212LT1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
26 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/MMUN2212LT1G.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Power - Max
246 mW
REACH Status
REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Other Names
MMUN2212LT1GOSTR,MMUN2212LT1GOSDKR,MMUN2212LT1GOSCT,ONSONSMMUN2212LT1G,2156-MMUN2212LT1G-OS,MMUN2212LT1GOS,MMUN2212LT1GOS-ND
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Base Product Number
MMUN2212
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TIP127
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 2N3417
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 50V 0.5A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: BDX33C
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FDS6930B
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 2N5551BU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 160V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FDS6576
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC, P-Channel 20 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее