г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MPS5172 onsemi

Артикул
MPS5172
Бренд
onsemi
Описание
TRANS NPN 25V 0.1A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 100 mA - 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MPS5172.jpg
Other Names
MPS5172OS
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Power - Max
625 mW
Frequency - Transition
-
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
5,000
Base Product Number
MPS517
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: D44H8G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 60V 10A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A 50MHz 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N4148
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35, Diode Standard 100 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: FJP5027RTU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 800V 3A TO220-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 15MHz 50 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: HGTG5N120BND
Бренд: onsemi
Описание: IGBT NPT 1200V 21A TO247-3, IGBT NPT 1200 V 21 A 167 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: RGP10K
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: FDB024N06
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, N-Channel 60 V 120A (Tc) 395W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее