г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUN2111T1G onsemi

Артикул
MUN2111T1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59
Цена
33 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/MUN2111T1G.jpg
Supplier Device Package
SC-59
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Power - Max
230 mW
REACH Status
REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Other Names
MUN2111T1GOSCT,MUN2111T1GOS-ND,MUN2111T1GOS,ONSONSMUN2111T1G,MUN2111T1GOSDKR,2156-MUN2111T1G-OS,MUN2111T1GOSTR
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Base Product Number
MUN2111
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: HUF76429P3
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3, N-Channel 60 V 47A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N5362B
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 28V 5W AXIAL, Zener Diode 28 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: TIP147
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP DARL 100V 10A TO218AC, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 10 A - 125 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BD681S
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 4 A - 40 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: MBD101
Бренд: onsemi
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 7V 280MW TO92, RF Diode Schottky - Single 7V 280 mW TO-92
Подробнее
Артикул: 2N2221A
Бренд: onsemi
Описание: NPN MED PWR GP AMP TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее