г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUN2113T1G onsemi

Артикул
MUN2113T1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59
Цена
29 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/MUN2113T1G.jpg
Other Names
MUN2113T1GOSDKR,2156-MUN2113T1G-OS,MUN2113T1GOSCT,ONSONSMUN2113T1G,MUN2113T1G-ND,MUN2113T1GOSTR
Supplier Device Package
SC-59
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Power - Max
230 mW
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Base Product Number
MUN2113
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: MUR460
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD, Diode Standard 600 V 4A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: MCH6613-TL-E
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N/P-CH 30V MCPH6, Mosfet Array N and P-Channel 30V 350mA, 200mA 800mW Surface Mount 6-MCPH
Подробнее
Артикул: FDP032N08
Бренд: onsemi
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 75 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FQP4N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 3.4A TO220-3, N-Channel 500 V 3.4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MJE13007
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 400V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 14MHz 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NTR0202PLT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3, P-Channel 20 V 400mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее