г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUN2211T1 onsemi

Артикул
MUN2211T1
Бренд
onsemi
Описание
TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 338 mW Surface Mount SC-59
Цена
9 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/MUN2211T1.jpg
Supplier Device Package
SC-59
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Power - Max
338 mW
REACH Status
REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Other Names
MUN2211T1OSTR,MUN2211T1OSCT,2156-MUN2211T1-ONTR,ONSONSMUN2211T1
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Standard Package
3,000
Base Product Number
MUN22
RoHS Status
RoHS non-compliant
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: DTA114EET1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: 2SC5611
Бренд: onsemi
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MPSA62
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DARLINGTON PNP 20V 0.5A, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FQP50N06L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 52.4A TO220-3, N-Channel 60 V 52.4A (Tc) 121W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 1N4936GP
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41, Diode Standard 400 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: NFAL7565L4B
Бренд: onsemi
Описание: IPM 650V 75A, Power Driver Module IGBT 3 Phase Inverter 650 V 75 A 30-PowerDIP Module (1.385", 35.17mm)
Подробнее