г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MUN2212T1G onsemi

Артикул
MUN2212T1G
Бренд
onsemi
Описание
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 338 mW Surface Mount SC-59
Цена
29 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/MUN2212T1G.jpg
Other Names
MUN2212T1GOSDKR,MUN2212T1GOSTR,MUN2212T1GOS,MUN2212T1GOS-ND,ONSONSMUN2212T1G,MUN2212T1GOSCT,2156-MUN2212T1G-OS
Supplier Device Package
SC-59
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Power - Max
338 mW
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Base Product Number
MUN2212
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: TIG056BF-1E
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 430V TO220F-3FS, IGBT - 430 V 30 W Through Hole TO-220F-3FS
Подробнее
Артикул: 2SC5669
Бренд: onsemi
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MJE15029
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 120V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 8 A 30MHz 50 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: NTMFS5C430NLT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN, N-Channel 40 V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: NTH4L040N120SC1
Бренд: onsemi
Описание: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4, N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Подробнее
Артикул: FGH60N60SMD
Бренд: onsemi
Описание: IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247, IGBT Field Stop 600 V 120 A 600 W Through Hole TO-247-3
Подробнее